電子技術基礎試題整理

電子技術,是指“含有電子的、數據的、磁性的、光學的、電磁的、或者類似性能的相關技術”.下面是小編爲你帶來的電子技術基礎試題整理 ,歡迎閱讀。

電子技術基礎試題整理

電子技術基礎試題一

1、半導體的導電能力隨溫度變化而變化;

2、P型半導體又稱爲空穴半型半導體;

3、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做正偏;

4、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做反偏;

5、PN結正向偏值時處於導通狀態;

6、PN結反向偏值時處於截止狀態;

7、硅二極管的正向電壓爲0.7V,鍺管爲0.3V;

8、對於質量良好的二極管,其正向電阻一般爲幾百歐姆;

9、穩壓二極管廣泛應用於穩壓電源與限幅電路中;

10、變容二極管的反向偏壓越大,其結電容越大;

電子技術基礎試題二

1、肖特基二極管不是利用P型與N型半導體接觸形成PN結原理製作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬—半導體結原理製作的;

2、PNP與NPN型晶體管的工作原理相同,只是使用時電源連接極性不同;

3、PNP型與NPN型晶體管都有集電極、基級和發射極三個電極;

4、PNP型與NPN型晶體管都有集電區、基區和發射區三個區;

5、晶體管三個電極間的關係爲Ie=Ib+Ic;

6、晶體管的.三種工作狀態是截止、飽和與放大;

7、晶體管處於截止狀態時集電極與發射極之間相當於開路;

8、晶體管處於飽和狀態時集電結與發射結並不是均爲反偏;

9、一般的,晶體管的溫度升高後工作穩定性將變差;

10、晶體管的交流電流放大係數的值一般爲20—200;

電子技術基礎試題三

1、晶體管具有電流放大作用的內部條件是基區很薄、集電結面積大;

2、晶體管放大作用的實質是用一個小電流控制一個大電流;

3、晶體管的擊穿電壓與溫度有關,會發生變化;

4、PNP型與NPN型晶體管都可以看成是反向串聯的兩個PN結;

5、帶阻尼晶體管是將晶體管、阻尼二極管、與保護電阻封裝在一起構成的;

6、差分對管是將兩隻性能參數相同的晶體管封裝在一起構成的;

7、達林頓管的放大係數很高,主要用於高增益放大電路等;

8、場效應晶體管可分爲結型和絕緣柵型兩大類;

9、結型場效應不僅僅依靠溝道中的自由電子導電;

10、場效應晶體管的輸出特性曲線可分爲四個區域;